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IGBT模块在使用时的损坏原因

 IGBT在使用过程中经常受到容性或***负载的冲击，承受过负荷甚至负载短路等，可能导致IGBT损坏。IGBT模块在使用时的损坏原因主要有以下情况：过电流损坏——长时间过流运行IGBT模块

长时间过流运行是指IGBT的运行指标达到或超出RBSOA（反偏安全工作区）所限定的电流安全边界（如选型失误、安全系数偏小等），出现这种情况时，电路必须能在电流到达RBSOA限定边界前立即关断器件，才能达到保护器件的目的。

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IGBT在使用过程中经常受到容性或***负载的冲击，承受过负荷甚至负载短路等，可能导致IGBT损坏。IGBT模块在使用时的损坏原因主要有以下情况——过电压损坏和静电损坏

IGBT在关断时，由于逆变电路中存在电感成分，关断瞬间产生尖峰电压，如果尖峰电压超过IGBT器件的1高峰值电压，将造成IGBT击穿损坏。IGBT过电压损坏可分为集电极-栅极过电压、栅极-发射极过电压、高du/dt过压电等。欣贝***-钬激光维修/钬激光升级***一台钬激光主要由以下几部分组成：谐振腔、电源控制器、冷却系统、控制系统、激光耦合系统、光纤等等。大多数过电压保护的电路设计都比较完善，但是对于由高du/dt所导致的过电压故障，基本上都是采用无感电容或者RCD结构吸收电路。由于吸收电路设计的吸收容量不够而造成IGBT损坏，对此可采用电压钳位，往往在集电极-栅极两端并接齐纳二极管，采用栅极电压动态控制，当集电极电压瞬间超过齐纳二极管的钳位电压时，超出的电压将叠加在栅极上（米勒效应起作用），避免了IGBT因受集电极发射极过电压而损坏。

采用栅极电压动态控制可以解决过高的du/dt带来的集电极发射极瞬间过电压问题，但是它的弊端是当IGBT处于***负载运行时，半桥结构中处于关断的IGBT，由于其反并联二极管（续流二极管）的***，其集电极-发射极两端的电压急剧上升，从而承受瞬间很高的du/dt。多数情况下，该du/dt值要比IGBT正常关断时的集电极-发射极电压上升率高，由于米勒电容( Cres)的存在，该du/dt值将在集电极和栅极之间产生一个瞬间电流，流向栅极驱动电路。检测结果：经检测确定问题为光路偏移由于院方长期使用劣质光纤导致光纤损坏，机器损伤。该电流与栅极电路的阻抗相互作用，直接导致栅极-发射极电压UGE值的升高，甚至超过IGBT的开通门限电压UGE(th)值。出现恶劣的情况就是使IGBT被误触发导通，导致变换器的桥臂短路。

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科医人钬激光(Holmium Laser)设备工作要求使用注意事项

一. 设备工作条件

1)  电源要求

大功率钬激光 (含VersaPulse Powersuite 60w,80/100w,100w,100wPlus)32A 220VAC 50/60Hz  单相交流电

小功率钬激光 (含VersaPulse Powersuite 20W)

16A     220VAC     50/60Hz   单相交流电

2)  环境要求  

***室保持恒定室温, 20~25oC。

温度过高会直接影响机器制冷系统的冷却效率,导致激光能量输出衰减；

温度过低会导致在光学元件的表面凝结水珠,影响或损坏光学元件(镜片)

***室内的湿度保持在40~60%；

***室内禁止有挥发物残留；

使用机器时在机器的两侧要保留一定空间,便于排风制冷。